Thèse CIFRE. Modélisation des déformations de motif induites par les procédés de gravure ou M/F

Description de l'offre

General information

 KEY INFORMATION:

  Location:  Europe, France, Crolles

Type of contract: Temporary

Job open date: 09/02/2021

Company department:  Process Technology Developm

 

 STMicroelectronics is a leading semiconductor company, a world key player thanks to our 43,200 employees including 8,300 working in R&D.

 ST’s products are found everywhere today. And together with our customers, we are enabling smarter driving, homes, factories, and cities, along with the next generation of mobile and Internet of Things devices. Everywhere microelectronics makes a positive contribution to people lives, ST is there.

 In 2018, we were ranked by the Randstad Employer Brand Research Award among the 5 most attractive companies in France, for our values of excellence, our integrity and the respect of our employees.

 

 POSTING PRESENTATION:

Le processus de génération des masques de lithographie intègre des corrections dont le rôle est de compenser les effets des procédés de frabrications. La modélisation et la correction des effets de la lithographie optique (optical proximity correction , OPC) sont bien connues et maitrisées depuis de nombreuses années. En revanche la correction des effets de la gravure est bien moins performante : elle est axée sur le control dimensionnel, mais peu précise sur la description de la déformation des motifs. Quand à la correction des effets de lépitaxie, elle est encore balbutiante. De plus, la déformation des motifs induite par ces procédés contribue notablement à plusieurs modes de défaillances limitant le rendement de frabication des puces microélectroniques. La modélisation de la déformation des motifs induite par ces procédés dans le but dintégrer une correction dans le processus de génération des masques savère donc nécessaire.
Le but de la thèse est de concevoir et calibrer des modèles précis pour simuler la déformation des motifs induite par les procédés de gravure ou dépitaxie. Ces modèles devront être assez rapides pour être implémentables dans le processus de génération des masques de lithographie. Pour la calibration, il sera nécessaire dutiliser des outils dextraction de coutours sur les images du microscope électronique à balayage. Enfin, la possibilité de construire ces modèles par des méthodes de réseau de neurones devra être explore.

 

PROFILE REQUIRED:

·     Education Level Required - BAC+5 (INGENIEUR,DESS,DEA...) Desired Competencies are  - Simulation, Computing Methods, CAD Software.
·   5 - Master degree
·   Less than 2 years

 

CONTACT & APPLY FORM:

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